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Référence fabricant | MBR25100CTHC0G |
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Numéro de pièce future | FT-MBR25100CTHC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBR25100CTHC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 25A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR25100CTHC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR25100CTHC0G-FT |
GP1001 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1001HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1002 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1002HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1003 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1003HC0G
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GP1004HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1005 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1005HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1006 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
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ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
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XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel