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Référence fabricant | GP1006 C0G |
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Numéro de pièce future | FT-GP1006 C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GP1006 C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 800V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1006 C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP1006 C0G-FT |
MBRF20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF20L120CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2535CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2545CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFECP6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
AT6002-2AC
Microchip Technology
5SGSED8N1F45C2L
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35C3NES
Intel