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Référence fabricant | MBRH20060R |
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Numéro de pièce future | FT-MBRH20060R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRH20060R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 200A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5mA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D-67 |
Package d'appareils du fournisseur | D-67 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRH20060R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRH20060R-FT |
GDP24P060B
Global Power Technologies Group
GDP30P120B
Global Power Technologies Group
GDP30S120B
Global Power Technologies Group
GDP36Z060B
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GDP50P120B
Global Power Technologies Group
GDP60P120B
Global Power Technologies Group
GDP60Z120E
Global Power Technologies Group
GP2D005A170B
Global Power Technologies Group
GP2D010A120B
Global Power Technologies Group
GP2D015A120B
Global Power Technologies Group
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
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A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
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EP3SE80F1152C3
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EP2SGX30CF780C5N
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EP4SGX230FF35C4N
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