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Référence fabricant | MBRF10150 C0G |
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Numéro de pièce future | FT-MBRF10150 C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRF10150 C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF10150 C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRF10150 C0G-FT |
SF808G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1040 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1040HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1060 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1008G C0G
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HERAF1606G C0G
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HERAF808G C0G
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UGF8J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF504G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10200 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel