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Référence fabricant | HERAF808G C0G |
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Numéro de pièce future | FT-HERAF808G C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HERAF808G C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 80ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERAF808G C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HERAF808G C0G-FT |
TST30L200CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20L200CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20L60CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30L45CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30U45CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20U45CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20U60C C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20H120CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST10L200CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30U45C C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
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5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel