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Référence fabricant | HERAF808G C0G |
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Numéro de pièce future | FT-HERAF808G C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HERAF808G C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 80ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERAF808G C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HERAF808G C0G-FT |
TST30L200CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20L200CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20L60CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30L45CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30U45CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20U45CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20U60C C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20H120CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST10L200CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30U45C C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
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EP2AGX95EF29I3
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EP20K400BC652-2X
Intel