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Référence fabricant | MBRB10H100/45 |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB10H100/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB10H100/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 770mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H100/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB10H100/45-FT |
FESB16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel