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Référence fabricant | FESB16DTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FESB16DTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FESB16DTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB16DTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FESB16DTHE3/45-FT |
20ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
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XC7S6-1FTGB196Q
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A54SX72A-PQG208I
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A54SX16P-VQG100I
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XC4010XL-09BG256C
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10AX115U4F45I3SG
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