maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR30H100CT-G1
Référence fabricant | MBR30H100CT-G1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBR30H100CT-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR30H100CT-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30H100CT-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR30H100CT-G1-FT |
F1827CCD400
Sensata-Crydom
F1842CAD400
Sensata-Crydom
F1842CAD600
Sensata-Crydom
B484F-2
Sensata-Crydom
C3D20060D
Cree/Wolfspeed
C4D10120D
Cree/Wolfspeed
C4D20120D
Cree/Wolfspeed
C4D40120D
Cree/Wolfspeed
C4D30120D
Cree/Wolfspeed
C3D30065D
Cree/Wolfspeed
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel