maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / B484F-2
Référence fabricant | B484F-2 |
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Numéro de pièce future | FT-B484F-2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
B484F-2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 50A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 50A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | B48 Module |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B484F-2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | B484F-2-FT |
MBR30030CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR30035CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR30035CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CTL
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MBR40020CTL
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MBR40020CTRL
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MBR40030CTL
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MBR40035CTL
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MBR40035CTRL
GeneSiC Semiconductor
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
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XCVU080-2FFVD1517E
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XC4010E-3PC84C
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XC6VLX195T-2FFG1156C
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5AGXMA3D4F31C5N
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EPF10K50SQC208-3N
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