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Référence fabricant | MBR16H50HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR16H50HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR16H50HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 730mV @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR16H50HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR16H50HE3/45-FT |
BYV29-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW29-100801HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW29-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW29-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW29-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW29-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW29-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW29-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel