maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYW29-100801HE3/45
Référence fabricant | BYW29-100801HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-BYW29-100801HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BYW29-100801HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW29-100801HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYW29-100801HE3/45-FT |
VS-30ETU12THN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETU12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB60-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1645-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW29-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1060-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel