maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR10H90CT-E3/45
Référence fabricant | MBR10H90CT-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR10H90CT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR10H90CT-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 760mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3.5µA @ 90V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10H90CT-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR10H90CT-E3/45-FT |
BYV32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-150801HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVF32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVF32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4013XL-1HT144I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU040-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC2V1000-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ208B
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP4CE15F23I8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I3N
Intel
A40MX04-PLG84I
Microsemi Corporation
EP1S30B956C7
Intel