maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYV32-150HE3/45
Référence fabricant | BYV32-150HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-BYV32-150HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV32-150HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 18A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32-150HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV32-150HE3/45-FT |
MBR2060CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2090CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2090CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR3045CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10170C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
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5AGXBA7D4F35C4N
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EP20K200BC356-2
Intel