maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / V10170C-M3/4W
Référence fabricant | V10170C-M3/4W |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-V10170C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
V10170C-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 170V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.03V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 90µA @ 170V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10170C-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V10170C-M3/4W-FT |
VS-43CTQ100-011-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2535CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H35PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H45PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40UP5K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
Intel
10M25DCF256C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation