maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR10H150CT-E3/45
Référence fabricant | MBR10H150CT-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR10H150CT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR10H150CT-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10H150CT-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR10H150CT-E3/45-FT |
BYT28F-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-150801HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVF32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVF32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel