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Référence fabricant | MBR1060 C0G |
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Numéro de pièce future | FT-MBR1060 C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR1060 C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1060 C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR1060 C0G-FT |
CTS521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS387CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS08(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel