maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR10200CDTR-E1
Référence fabricant | MBR10200CDTR-E1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR10200CDTR-E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR10200CDTR-E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10200CDTR-E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR10200CDTR-E1-FT |
SBL2060CTP
Diodes Incorporated
SBL3040CTP
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Sensata-Crydom
M50100THC1600
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M5060THC600
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M50100THA1600
Sensata-Crydom
EP20K160ETC144-1X
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Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
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5SGXEA4K1F40C2N
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XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
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EPF10K50VBC356-4N
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