maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / MBR10200 C0G
Référence fabricant | MBR10200 C0G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBR10200 C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR10200 C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 10A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10200 C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR10200 C0G-FT |
MBR750 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR750HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR760 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR760HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR790 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR790HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR820HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR840 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR840HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR8L60HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel