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Référence fabricant | MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 |
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Numéro de pièce future | FT-MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FRAM |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | 3.4MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB85RC64TAPNF-G-BDERE1-FT |
IS25LQ020B-JNLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
24FC1025-I/SM
Microchip Technology
IS25WP128-JBLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
GD25D05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel