maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / GD25D10CTIGR
Référence fabricant | GD25D10CTIGR |
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Numéro de pièce future | FT-GD25D10CTIGR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GD25D10CTIGR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 50µs, 4ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Dual I/O |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25D10CTIGR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GD25D10CTIGR-FT |
W25Q64FVSSIP
Winbond Electronics
W25Q64FVSSIQ
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W25Q80BLSSIG
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W25Q80BLSSIG TR
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W25X16AVSSIG
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W25X16VSSIG
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XA6SLX75-2FGG484Q
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A3PE3000-PQ208
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A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
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XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
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LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation