maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MB85RC64APNF-G-JNERE1
Référence fabricant | MB85RC64APNF-G-JNERE1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MB85RC64APNF-G-JNERE1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB85RC64APNF-G-JNERE1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FRAM |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 550ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC64APNF-G-JNERE1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB85RC64APNF-G-JNERE1-FT |
IDT71V416VS12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA90DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA120DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA25DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA35DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel