maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 6116SA120DB
Référence fabricant | 6116SA120DB |
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Numéro de pièce future | FT-6116SA120DB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6116SA120DB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 120ns |
Temps d'accès | 120ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA120DB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6116SA120DB-FT |
71V416S15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel