maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 6116SA120DB
Référence fabricant | 6116SA120DB |
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Numéro de pièce future | FT-6116SA120DB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6116SA120DB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 120ns |
Temps d'accès | 120ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA120DB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6116SA120DB-FT |
71V416S15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation