maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MB85RC256VPNF-G-JNERE1
Référence fabricant | MB85RC256VPNF-G-JNERE1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MB85RC256VPNF-G-JNERE1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FRAM |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 550ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB85RC256VPNF-G-JNERE1-FT |
6116SA20DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA120DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3719MS133BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3719MS166BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3799MS133BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3799MS133BBGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3799MS166BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
GD25Q64CYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ256DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited