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Référence fabricant | MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 |
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Numéro de pièce future | FT-MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FRAM |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 550ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 3V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB85RC16VPNF-G-JNN1E1-FT |
6116SA70DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA90DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA20DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA120DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3719MS133BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3719MS166BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3799MS133BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3799MS133BBGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3799MS166BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
GD25Q64CYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel