maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MAP6KE39CAE3
Référence fabricant | MAP6KE39CAE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MAP6KE39CAE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP6KE39CAE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 33.3V |
Tension - Panne (Min) | 37.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 53.9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 11.2A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | T-18 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP6KE39CAE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAP6KE39CAE3-FT |
MALCE8.5A
Microsemi Corporation
MALCE8.5AE3
Microsemi Corporation
MALCE9.0A
Microsemi Corporation
MALCE9.0AE3
Microsemi Corporation
MAP6KE100A
Microsemi Corporation
MAP6KE100AE3
Microsemi Corporation
MAP6KE100CA
Microsemi Corporation
MAP6KE100CAE3
Microsemi Corporation
MAP6KE10A
Microsemi Corporation
MAP6KE10AE3
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
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EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation