maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MAP6KE10A
Référence fabricant | MAP6KE10A |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MAP6KE10A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP6KE10A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8.55V |
Tension - Panne (Min) | 9.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 14.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 41A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | T-18 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP6KE10A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAP6KE10A-FT |
M1.5KE6.8CAE3
Microsemi Corporation
M1.5KE62A
Microsemi Corporation
M1.5KE62AE3
Microsemi Corporation
M1.5KE7.5A
Microsemi Corporation
M1.5KE7.5AE3
Microsemi Corporation
M1.5KE7.5CA
Microsemi Corporation
M1.5KE7.5CAE3
Microsemi Corporation
M1.5KE8.2A
Microsemi Corporation
M1.5KE8.2AE3
Microsemi Corporation
M1.5KE8.2CA
Microsemi Corporation
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F27C8N
Intel
5SGSMD6K3F40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation