maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / MAGX-000035-01000S
Référence fabricant | MAGX-000035-01000S |
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Numéro de pièce future | FT-MAGX-000035-01000S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MAGX-000035-01000S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | HEMT |
La fréquence | 30MHz ~ 3.5GHz |
Gain | 17.5dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 490mA |
Puissance - sortie | 40dBm |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAGX-000035-01000S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAGX-000035-01000S-FT |
BLF246,112
Ampleon USA Inc.
BLF346,112
Ampleon USA Inc.
ON5173,118
NXP USA Inc.
ON5234,118
NXP USA Inc.
ON5258,215
Nexperia USA Inc.
NE3511S02-A
CEL
NE3511S02-T1C-A
CEL
NE3512S02-A
CEL
NE3512S02-T1C-A
CEL
NE3514S02-A
CEL
XC2S200E-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
A3PE3000-FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-FG484M
Microsemi Corporation
EP2C35F672C6N
Intel
EPF10K30AFC256-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31C5N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel