maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MA3D649
Référence fabricant | MA3D649 |
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Numéro de pièce future | FT-MA3D649 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA3D649 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 980mV @ 2.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220D |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA3D649 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA3D649-FT |
RF04UA2DTR
Rohm Semiconductor
RF051UA1DTR
Rohm Semiconductor
RR274EA-400TR
Rohm Semiconductor
RB496EATR
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RB550EATR
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MSD6100
ON Semiconductor
MSD6100G
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MSD6100RLRA
ON Semiconductor
MSD6100RLRAG
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SB80W10T-TL-H
ON Semiconductor
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
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XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
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XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel