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Référence fabricant | MSD6100G |
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Numéro de pièce future | FT-MSD6100G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSD6100G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 135°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSD6100G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSD6100G-FT |
RF04UA2DTR
Rohm Semiconductor
RF051UA1DTR
Rohm Semiconductor
RR274EA-400TR
Rohm Semiconductor
RB496EATR
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RB550EATR
Rohm Semiconductor
MSD6100
ON Semiconductor
MSD6100G
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MSD6100RLRA
ON Semiconductor
MSD6100RLRAG
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SB80W10T-TL-H
ON Semiconductor
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
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XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
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XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
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EPF10K50SQC208-3N
Intel