maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M95M02-DRMN6TP
Référence fabricant | M95M02-DRMN6TP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M95M02-DRMN6TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M95M02-DRMN6TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 2Mb (256K x 8) |
Fréquence d'horloge | 5MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95M02-DRMN6TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M95M02-DRMN6TP-FT |
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR
Micron Technology Inc.
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A
Micron Technology Inc.
W978H2KBVX2E
Winbond Electronics
W978H2KBVX2I
Winbond Electronics
W979H2KBVX2E
Winbond Electronics
W979H6KBVX2E
Winbond Electronics
W979H6KBVX2E TR
Winbond Electronics
W979H6KBVX2I TR
Winbond Electronics
W97AH2KBVX2E
Winbond Electronics
W97AH6KBVX2E
Winbond Electronics
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel