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Référence fabricant | W979H6KBVX2E |
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Numéro de pièce future | FT-W979H6KBVX2E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W979H6KBVX2E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 134-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 134-VFBGA (10x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W979H6KBVX2E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W979H6KBVX2E-FT |
W9725G8KB-25
Winbond Electronics
W9725G8KB-25 TR
Winbond Electronics
W9725G8KB25I
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W9725G8KB25I TR
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W9751G8KB-25 TR
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W9751G8KB25I
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W9751G8KB25I TR
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W25M02GVTCIG TR
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W25M02GVTCIT TR
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W25M512JVCIQ
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LFE2-12SE-6T144I
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XC2VP40-6FGG676C
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XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
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A42MX09-VQ100M
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5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
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LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation