maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M93C86-WMN6P
Référence fabricant | M93C86-WMN6P |
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Numéro de pièce future | FT-M93C86-WMN6P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M93C86-WMN6P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8, 1K x 16) |
Fréquence d'horloge | 2MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M93C86-WMN6P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M93C86-WMN6P-FT |
TH58NYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HBAI4
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Toshiba Memory America, Inc.
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Toshiba Memory America, Inc.
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Toshiba Memory America, Inc.
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Toshiba Memory America, Inc.