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Référence fabricant | TC58NYG1S3HBAI6 |
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Numéro de pièce future | FT-TC58NYG1S3HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TC58NYG1S3HBAI6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 67-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 67-VFBGA (6.5x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58NYG1S3HBAI6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TC58NYG1S3HBAI6-FT |
W25Q256FVCIP TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCJQ
Winbond Electronics
W25Q256FVCJQ TR
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W25Q32FVTCIG
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W25Q32FVTCIG TR
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W25Q32FVTCIP
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W25Q32FVTCIP TR
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W25Q32FVTCJF
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W25Q32FVTCJF TR
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W25Q32FVTCJQ
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A1010B-VQG80C
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XC3S1600E-4FG400I
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XC3S5000-5FGG900C
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XC2VP50-7FFG1152C
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