maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / M5060TB1400
Référence fabricant | M5060TB1400 |
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Numéro de pièce future | FT-M5060TB1400 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M5060TB1400 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.4kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 50A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M5060TB1400 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M5060TB1400-FT |
GBJ801-F
Diodes Incorporated
GBJ806-F
Diodes Incorporated
GBJ2004-F
Diodes Incorporated
GBJ604-F
Diodes Incorporated
GBJ2002-F
Diodes Incorporated
GBJ2501-F
Diodes Incorporated
GBJ2008-F
Diodes Incorporated
GBJ15005-F
Diodes Incorporated
GBJ2510-F
Diodes Incorporated
GBJ6005-F
Diodes Incorporated
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel