maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ801-F
Référence fabricant | GBJ801-F |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GBJ801-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ801-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ801-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ801-F-FT |
MB3505-F
Diodes Incorporated
MB351
Diodes Incorporated
MB351-F
Diodes Incorporated
MB3510
Diodes Incorporated
MB352
Diodes Incorporated
MB352-F
Diodes Incorporated
MB354
Diodes Incorporated
MB354-F
Diodes Incorporated
MB356
Diodes Incorporated
MB356-F
Diodes Incorporated
EP2C5T144I8
Intel
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SFC256-1X
Intel
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
XC5VLX50-1FFG324CES
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
AX500-FGG676I
Microsemi Corporation
EP4SE230F29C2
Intel