maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29W800DB70M6
Référence fabricant | M29W800DB70M6 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M29W800DB70M6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W800DB70M6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-SOIC (0.525", 13.34mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W800DB70M6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W800DB70M6-FT |
M29W128GL70ZS3E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AN6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AZA6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AZS6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL90N6E
Micron Technology Inc.
M29W128GSH70ZA6F TR
Micron Technology Inc.