maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29W128GL70N6E

| Référence fabricant | M29W128GL70N6E |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-M29W128GL70N6E |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| M29W128GL70N6E Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NOR |
| Taille mémoire | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
| Fréquence d'horloge | - |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70ns |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Package d'appareils du fournisseur | 56-TSOP |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| M29W128GL70N6E Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | M29W128GL70N6E-FT |

F640SPHT-PTLZ8
Sharp Microelectronics

JS28F00AM29EWH0
Micron Technology Inc.

JS28F00AM29EWHA
Micron Technology Inc.

JS28F00AM29EWL0
Micron Technology Inc.

JS28F00AM29EWLA
Micron Technology Inc.

JS28F00AP30BFA
Micron Technology Inc.

JS28F00AP30EF0
Micron Technology Inc.

JS28F00AP30EFA
Micron Technology Inc.

JS28F00AP30TFA
Micron Technology Inc.

JS28F00AP33BF0
Micron Technology Inc.

LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SE50F484C2
Intel

EP4CE115F23I8L
Intel

XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.

LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SE110F780C2N
Intel

EP20K100BC356-2N
Intel

EP4SGX360FF35C4
Intel