maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / JS28F00AP30EF0
Référence fabricant | JS28F00AP30EF0 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JS28F00AP30EF0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Axcell™ |
JS28F00AP30EF0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | 40MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 110ns |
Temps d'accès | 110ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 2V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 56-TSOP (14x20) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JS28F00AP30EF0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JS28F00AP30EF0-FT |
RC28F256M29EWHA
Micron Technology Inc.
RC28F256M29EWLA
Micron Technology Inc.
RC28F256P30B85A
Micron Technology Inc.
RC28F256P30B85D TR
Micron Technology Inc.
RC28F256P30BFA
Micron Technology Inc.
RC28F256P30BFE
Micron Technology Inc.
RC28F256P30T85A
Micron Technology Inc.
RC28F256P30T85B TR
Micron Technology Inc.
RC28F256P30TFA
Micron Technology Inc.
RC28F256P30TFE
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel