maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / M10H100CTHE3_A/P
Référence fabricant | M10H100CTHE3_A/P |
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Numéro de pièce future | FT-M10H100CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
M10H100CTHE3_A/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3.5µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M10H100CTHE3_A/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M10H100CTHE3_A/P-FT |
BYQ28EF-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EF-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EF-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EF-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EF-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28-300-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28F-300-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel