maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYQ28EF-200HE3/45
Référence fabricant | BYQ28EF-200HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-BYQ28EF-200HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYQ28EF-200HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYQ28EF-200HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYQ28EF-200HE3/45-FT |
VS-MBR2535CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2545CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR3045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR4045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS40L15CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
M3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M30L40C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M30L45C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10100CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel