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Référence fabricant | LS103C-GS08 |
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Numéro de pièce future | FT-LS103C-GS08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
LS103C-GS08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 10ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 10V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-80 Variant |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 QuadroMELF |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LS103C-GS08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LS103C-GS08-FT |
VS-60EPU06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU06HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPH3006HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006-F3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel