maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-EPH3006HN3
Référence fabricant | VS-EPH3006HN3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-EPH3006HN3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-EPH3006HN3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.65V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 26ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC Modified |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-EPH3006HN3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-EPH3006HN3-FT |
VI20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel