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Référence fabricant | LS101A-GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-LS101A-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
LS101A-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 15mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-80 Variant |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 QuadroMELF |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LS101A-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LS101A-GS18-FT |
VS-60EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel