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Référence fabricant | VS-60EPS08-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-60EPS08-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-60EPS08-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.09V @ 60A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC Modified |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-60EPS08-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-60EPS08-M3-FT |
15ETX06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETH03-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETH06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETL06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETU04-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA15TB60-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI10150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel