maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / LQR2W562MSEJBN
Référence fabricant | LQR2W562MSEJBN |
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Numéro de pièce future | FT-LQR2W562MSEJBN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQR |
LQR2W562MSEJBN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 5600µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 450V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 5000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 19.1A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 26.74A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 1.252" (31.80mm) |
Taille / Dimension | 3.543" Dia (90.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 5.236" (133.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQR2W562MSEJBN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQR2W562MSEJBN-FT |
LQR2G562MSEGBB
Nichicon
LQR2G562MSEGBN
Nichicon
LQR2G562MSEHBB
Nichicon
LQR2G562MSEHBN
Nichicon
LQR2G681MSECBB
Nichicon
LQR2G681MSECBN
Nichicon
LQR2G682MSEHBB
Nichicon
LQR2G682MSEHBN
Nichicon
LQR2G821MSECBB
Nichicon
LQR2G821MSECBN
Nichicon
XC3S250E-4TQG144I
Xilinx Inc.
A3P125-2TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX100-N3FGG676C
Xilinx Inc.
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
10M50DCF256I6G
Intel
EP4SGX360KF40I3N
Intel
5SGTMC7K3F40I2N
Intel
XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FF1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation