maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / LQR2G821MSECBN
Référence fabricant | LQR2G821MSECBN |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-LQR2G821MSECBN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQR |
LQR2G821MSECBN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 820µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 400V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 5000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 4.1A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 5.74A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.500" (12.70mm) |
Taille / Dimension | 1.378" Dia (35.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 4.055" (103.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQR2G821MSECBN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQR2G821MSECBN-FT |
LNY2V682MSEHBB
Nichicon
LNY2V682MSEHBN
Nichicon
LNY2V822MSEGBB
Nichicon
LNY2V822MSEGBN
Nichicon
LNY2V822MSEHBB
Nichicon
LNY2V822MSEHBN
Nichicon
LNY2W102MSEFBB
Nichicon
LNY2W102MSEFBN
Nichicon
LNY2W103MSEHBB
Nichicon
LNY2W103MSEHBN
Nichicon
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PLG68C
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40I2N
Intel
AGLP125V2-CSG289
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F35I2LG
Intel
5AGXFB1H4F35C5N
Intel