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Référence fabricant | LNY2V682MSEHBB |
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Numéro de pièce future | FT-LNY2V682MSEHBB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LNY |
LNY2V682MSEHBB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 6800µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 350V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 18.8A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 26.32A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 1.252" (31.80mm) |
Taille / Dimension | 3.000" Dia (76.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 3.858" (98.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNY2V682MSEHBB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LNY2V682MSEHBB-FT |
LNY2G122MSEFBB
Nichicon
LNY2G122MSEFBN
Nichicon
LNY2G123MSEHBB
Nichicon
LNY2G123MSEHBN
Nichicon
LNY2G123MSEJBB
Nichicon
LNY2G123MSEJBN
Nichicon
LNY2G152MSEFBB
Nichicon
LNY2G152MSEFBN
Nichicon
LNY2G153MSEJBB
Nichicon
LNY2G153MSEJBN
Nichicon
XC3S2000-4FGG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQG176I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FG484
Microsemi Corporation
APA450-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
EP1C12F256C7N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F23C7N
Intel