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Référence fabricant | LQR2V822MSEHBN |
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Numéro de pièce future | FT-LQR2V822MSEHBN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQR |
LQR2V822MSEHBN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 8200µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 350V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 5000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 26.4A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 36.96A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 1.252" (31.80mm) |
Taille / Dimension | 3.000" Dia (76.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 6.024" (153.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQR2V822MSEHBN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQR2V822MSEHBN-FT |
LNY2W562MSEHBB
Nichicon
LNY2W562MSEHBN
Nichicon
LNY2W682MSEGBB
Nichicon
LNY2W682MSEGBN
Nichicon
LNY2W682MSEHBB
Nichicon
LNY2W682MSEHBN
Nichicon
LNY2W682MSEJBB
Nichicon
LNY2W682MSEJBN
Nichicon
LNY2W821MSEFBB
Nichicon
LNY2W821MSEFBN
Nichicon
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C8N
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5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
LFX200B-03F256C
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LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation