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Référence fabricant | LNY2W682MSEGBN |
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Numéro de pièce future | FT-LNY2W682MSEGBN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LNY |
LNY2W682MSEGBN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 6800µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 450V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 19.1A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 26.74A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 1.126" (28.60mm) |
Taille / Dimension | 2.500" Dia (63.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 8.386" (213.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNY2W682MSEGBN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LNY2W682MSEGBN-FT |
LNY2V103MSEHBN
Nichicon
LNY2V103MSEJBB
Nichicon
LNY2V103MSEJBN
Nichicon
LNY2V123MSEHBB
Nichicon
LNY2V123MSEHBN
Nichicon
LNY2V123MSEJBB
Nichicon
LNY2V123MSEJBN
Nichicon
LNY2V152MSEFBB
Nichicon
LNY2V152MSEFBN
Nichicon
LNY2V153MSEHBB
Nichicon
XC3S400-5FG456C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40I3
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
A42MX09-1TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160I
Microsemi Corporation
A3P1000-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29I5N
Intel