maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / LQR2V332MSEGBN
Référence fabricant | LQR2V332MSEGBN |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-LQR2V332MSEGBN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQR |
LQR2V332MSEGBN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 3300µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 350V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 5000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 11.9A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 16.66A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 1.126" (28.60mm) |
Taille / Dimension | 2.500" Dia (63.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 3.661" (93.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQR2V332MSEGBN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQR2V332MSEGBN-FT |
LNY2W222MSEFBB
Nichicon
LNY2W222MSEFBN
Nichicon
LNY2W222MSEGBB
Nichicon
LNY2W222MSEGBN
Nichicon
LNY2W272MSEFBB
Nichicon
LNY2W272MSEFBN
Nichicon
LNY2W272MSEGBB
Nichicon
LNY2W272MSEGBN
Nichicon
LNY2W332MSEFBB
Nichicon
LNY2W332MSEFBN
Nichicon
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C8N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
LFX200B-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation